拓(tuo)墣產(chan)業研(yan)究院指出，相(xiang)較(jiao)目(mu)前主流的(de)(de)(de)(de)硅晶(jing)圓(Si)，第三(san)代半(ban)導體材(cai)料(liao)SiC及(ji)GaN除(chu)(chu)了(le)耐(nai)高電(dian)壓的(de)(de)(de)(de)特色(se)外，也分別具備耐(nai)高溫與適(shi)合在高頻操作(zuo)下的(de)(de)(de)(de)優勢，不僅(jin)可使芯片面積(ji)可大(da)幅減少(shao)，并能(neng)簡化周(zhou)邊(bian)電(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)設計，達(da)到減少(shao)模組(zu)、系統周(zhou)邊(bian)的(de)(de)(de)(de)零組(zu)件及(ji)冷卻(que)系統的(de)(de)(de)(de)體積(ji)。除(chu)(chu)了(le)輕化車輛設計之(zhi)外，因第三(san)代半(ban)導體的(de)(de)(de)(de)低(di)(di)導通(tong)電(dian)阻及(ji)低(di)(di)切換損失的(de)(de)(de)(de)特性，也能(neng)大(da)幅降低(di)(di)車輛運轉時的(de)(de)(de)(de)能(neng)源轉換損失，兩者對于電(dian)動車續航力(li)的(de)(de)(de)(de)提升有相(xiang)當的(de)(de)(de)(de)幫助。因此，SiC及(ji)GaN功率組(zu)件的(de)(de)(de)(de)技(ji)術與市場發展，與電(dian)動車的(de)(de)(de)(de)發展密不可分。

然而，SiC材料(liao)仍在驗(yan)證與導入階(jie)(jie)(jie)段，在現階(jie)(jie)(jie)段車用領域僅應用于賽(sai)車上(shang)，因此，全球(qiu)現階(jie)(jie)(jie)段的車用功(gong)率組(zu)件，采用SiC的解決方案的面積(ji)不到千分(fen)之一。另一方面，目前市場(chang)上(shang)的GaN功(gong)率組(zu)件則(ze)以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶(jing)圓(yuan)進(jin)行制造，其(qi)中GaN-on-SiC在散熱性能(neng)(neng)上(shang)具有優勢，相當適合(he)應用在高溫、高頻的操作環境，因此以5G基站的應用能(neng)(neng)見度較高，預期SiC基板(ban)未來五年在通過(guo)車廠驗(yan)證與2020年5G商(shang)用的帶動(dong)下(xia)，將進(jin)入高速成(cheng)長期。

盡(jin)管GaN基(ji)板在面積大型化的(de)(de)過(guo)程中，成(cheng)(cheng)本居高(gao)不下，造成(cheng)(cheng)GaN基(ji)板的(de)(de)產值(zhi)目前仍小于(yu)SiC基(ji)板。但GaN能在高(gao)頻操作的(de)(de)優(you)勢，仍是各大科技(ji)廠矚目的(de)(de)焦點。除(chu)了高(gao)規格產品使(shi)用(yong)GaN-on-SiC的(de)(de)技(ji)術外，GaN-on-Si透過(guo)其成(cheng)(cheng)本優(you)勢，成(cheng)(cheng)為目前GaN功率組(zu)件的(de)(de)市場主流，在車用(yong)、智能手機所需的(de)(de)電源(yuan)管理芯片及充電系統的(de)(de)應用(yong)具有成(cheng)(cheng)長性。

拓(tuo)墣產業(ye)(ye)(ye)研究院指出，觀察供應鏈的(de)發(fa)展(zhan)，由于(yu)5G及汽車科(ke)技正處于(yu)產業(ye)(ye)(ye)成(cheng)長趨勢的(de)重心，供應鏈已發(fa)展(zhan)出晶(jing)圓代(dai)工模式，提供客戶SiC及GaN的(de)代(dai)工業(ye)(ye)(ye)務(wu)服務(wu)，改變過(guo)去(qu)僅由Cree、Infineon、Qorvo等整合組(zu)件大廠供應的(de)狀況。GaN的(de)部分，有(you)臺積電及世界先進提供GaN-on-Si的(de)代(dai)工業(ye)(ye)(ye)務(wu)，穩懋(mao)則專攻GaN-on-SiC領域瞄準5G基站(zhan)的(de)商機。另外，X-Fab、漢磊及環宇也提供SiC及GaN的(de)代(dai)工業(ye)(ye)(ye)務(wu)。隨著代(dai)工業(ye)(ye)(ye)務(wu)的(de)帶(dai)動，第三代(dai)半導體材料的(de)市(shi)場規模也將進一步擴大。